Micron เปิดตัวชิปหน่วยความจำใหม่ HBM3e และ 1γ DRAM ประสิทธิภาพสูงสำหรับระบบ AI พร้อมลดการใช้พลังงานได้ถึง 20%

Micron Technology ได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ล่าสุด ที่ออกแบบมาเพื่อรองรับความต้องการในการประมวลผล AI โดยเฉพาะ โดยเป็นส่วนหนึ่งของกลยุทธ์ในการเพิ่มความแข็งแกร่งในตลาดหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ด้วยเทคโนโลยี HBM3e แบบ 12 ชั้น ซึ่งมีประสิทธิภาพสูงกว่าโซลูชั่น HBM แบบ 8 ชั้นที่มีอยู่ในปัจจุบัน

HBM3e แบบ 12 ชั้นของ Micron สามารถลดการใช้พลังงานได้ถึง 20% และมีความจุเพิ่มขึ้น 50% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ของคู่แข่ง การพัฒนานี้มีความสำคัญอย่างมากสำหรับการทำงานด้าน AI ที่ต้องการแบนด์วิดท์หน่วยความจำสูงและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดี โดย Micron ได้จัดส่งเทคโนโลยีนี้ให้กับผู้ผลิตชิป AI รายใหญ่อย่าง Nvidia ทำให้ Micron กลายเป็นซัพพลายเออร์สำคัญในตลาดหน่วยความจำสำหรับ AI

นอกจากนี้ Micron ยังได้ประกาศการจัดส่ง 1γ (1-gamma) DRAM ซึ่งเป็นเทคโนโลยี DRAM รุ่นที่ 6 ที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้น โดยมีความเร็วเพิ่มขึ้นถึง 15% และลดการใช้พลังงานได้มากกว่า 20% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า โดย 1γ node ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับแพลตฟอร์มการประมวลผลในอนาคต ตั้งแต่ดาต้าเซ็นเตอร์ไปจนถึงอุปกรณ์ Edge Computing และคาดว่าจะมีบทบาทสำคัญในการขับเคลื่อนระบบนิเวศ AI

ที่มา: TalkMarkets, Tom’s Hardware